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[综合交流] 求助-关于审稿人关于计算光谱的提问

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本帖最后由 yaochuang 于 2019-11-14 14:38 编辑

最近计算了一个有机太阳能电池小分子受体材料的光谱,并对其强度和宽度进行了分析,审稿人说我的分析有问题并给出了解释,但是审稿人的解释和我自己的认识和理解存在很大的差距,请各位老师帮忙鉴定一下,谢谢。
以下是审稿人的具体意见:


问题1:审稿人说ITOIC-2F的HOMO到LUMO跃迁是ICT(分子内电荷转移跃迁),从后面也能看出审稿人觉得只有HOMO到LUMO的跃迁才能用于激子分离和电荷转移。我个人觉得ICT和是不是HOMO到LUMO跃迁没有必然联系吧?

问题2:审稿人说pi-pi*的跃迁对电荷转移没有贡献,我也没有听说过这种理论,不知是否是我自己的理论缺陷。有的时候HOMO-LUMO的跃迁也是pi-pi*的跃迁,和上面审稿人的结论感觉又是矛盾的。

问题3:有机太阳能电池受体的吸收光谱中只有对应ICT这种跃迁才能被利用?感觉不合理啊,是因为pi-pi*的跃迁产生的激子结合能大不容易分离?之前也没有见到过这种分析很是疑惑。

问题4:TDDFT计算的振子强度真的就没有实际意义吗,结合Multiwfn模拟的光谱其强度和半高宽也没有实际的讨论意义吗?

先感谢各位老师帮忙解惑。


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发表于 Post on 2019-11-14 21:13:00 | 只看该作者 Only view this author
是不是ICT,用multiwfn里的空穴-电子分析模块算一下便知。
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发表于 Post on 2019-11-15 00:24:00 | 只看该作者 Only view this author
1 楼上已经回答了

2 很多CT激发都是pi-pi*跃迁。在回复中直接通过计算证据说明

4 意义非常大。审稿人要么根本不懂,要么表述有误。振子强度根本就不仅仅是重叠程度所决定的,重叠程度大只不过是振子强度大的一个前提而已。要搞懂空穴-电子的重叠、跃迁偶极矩、振子强度之间的关系。我在此文里有详细讨论:
使用Multiwfn绘制跃迁密度矩阵和电荷转移矩阵考察电子激发特征(含视频演示)
http://sobereva.com/436http://bbs.keinsci.com/thread-11383-1-1.html
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ResearchGate:https://www.researchgate.net/profile/Tian_Lu

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2019-11-16 15:58:32 | 只看该作者 Only view this author
冰释之川 发表于 2019-11-14 21:13
是不是ICT,用multiwfn里的空穴-电子分析模块算一下便知。

好的,谢谢

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2020-2-23 10:37:33 | 只看该作者 Only view this author
sobereva 发表于 2019-11-15 00:24
1 楼上已经回答了

2 很多CT激发都是pi-pi*跃迁。在回复中直接通过计算证据说明

谢谢sob老师的详细解答

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