请问QE可以计算绝缘体的电声耦合系数吗？

Xian

请教大家几个问题：1. QE说明书提到只能计算金属体系的电声耦合系数。但是也发现有的帖子又提到针对绝缘体，无需fix occupation，将degauss设置到很小，就可以计算了。那么这样一来QE会把该体系当成金属来处理，请问各位前辈，这样合理吗？
2. QE在计算phonon dispersion和DOS的时候，体系本身的磁性需要考虑进去吗？
3. QE计算出来如果有虚频，几个THZ，这样的情况需要完全消除虚频吗？有的帖子说，如果虚频很小且是声学支项，可以认为体系是稳定的。
4. 电声耦合系数在某个频率越大，是不是说明该体系在发射这个波长的光的效率就会低吗？因为一般phonon都会促进nonradiative recommendation。
问题有点多，非常感谢。

wuhuawujiu

1. QE说明书提到只能计算金属体系的电声耦合系数。但是也发现有的帖子又提到针对绝缘体，无需fix occupation，将degauss设置到很小，就可以计算了。那么这样一来QE会把该体系当成金属来处理，请问各位前辈，这样合理吗？
QE自带的phonon模块应该不可以。但结合EPW可以进行。
2. QE在计算phonon dispersion和DOS的时候，体系本身的磁性需要考虑进去吗？
一般是要考虑的
3. QE计算出来如果有虚频，几个THZ，这样的情况需要完全消除虚频吗？有的帖子说，如果虚频很小且是声学支项，可以认为体系是稳定的。
很小的时候，是可以认为稳定的，特别是二维材料。
4. 电声耦合系数在某个频率越大，是不是说明该体系在发射这个波长的光的效率就会低吗？因为一般phonon都会促进nonradiative recommendation。
问题有点多，非常感谢。
这个不是很懂

Xian

wuhuawujiu 发表于 2020-11-2 10:57
1. QE说明书提到只能计算金属体系的电声耦合系数。但是也发现有的帖子又提到针对绝缘体，无需fix occupatio ...

非常感谢哦，我去看看EPW的资料。