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[VASP] 晶体内离子扩散能垒计算求助

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Level 4 (黑子)

请教各位,我现在想计算晶体内离子的扩散能垒。


如上图所示,点和×代表两种离子,现在想计算离子从A到B的扩散能垒,我的计算过程是这样的:
1、把B处原子抠除,优化得到IS
2、把A处原子抠除,优化得到FS
3、计算IS 到 FS的过渡态,得到能垒。
计算过程中的所有设置,和优化无缺陷结构时一样。
请问可否这样计算?因为抠除了一个离子,电荷这些需要怎么考虑?
谢谢

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