请教：铜负载石墨烯表面吸附模型的偶极矩矫正问题

rabbitkiller

请教各位老师，我想在QE中模拟铜负载石墨烯吸附分子的模型。
模型构成：Cu（111）面（3层或4层铜原子，真空层15埃）+石墨烯（1层）+1个分子

我已经测试了k点，ecutwfc, ecutrho；对bulk铜做过vc-relax得到了稳定的结构，并且切出了111面。接下来遇到的问题是在哪一步做偶极矩矫正？

我的想法是首先对Cu（111）面做relax（固定底层，放开上两层）得到表面态，然后把石墨烯放上去再relax。上述步骤完成后做偶极矫正。最后把吸附分子放上去，带着偶极矫正的那些参数做relax。
不知道我的想法是不是合理？

请大家不吝赐教。

卡开发发

你是要计算分子在Cu负载石墨烯上的吸附？石墨烯那一步计算能量原则上也要偶极修正。你可以在开偶极修正之前先relax到收敛，然后开着偶极修正继续算，因为通常情况下开了偶极修正SCF会较难收敛。

落微

请问有图吗？

rabbitkiller

卡开发发 发表于 2021-3-9 16:17
你是要计算分子在Cu负载石墨烯上的吸附？石墨烯那一步计算能量原则上也要偶极修正。你可以在开偶极修正之前 ...

谢谢老师！

mxh

请问，在QE中如何开偶极修正，能看一下您的参数设置吗

卡开发发

mxh 发表于 2021-12-15 15:10
请问，在QE中如何开偶极修正，能看一下您的参数设置吗

参考一下dipfield呢？
但是其实可以使用assume_isolated来对Poisson方程的边界做处理。