请问离子晶体簇模型计算用DDEC电荷可以吗？

CJW

各位老师好：
       我想通过簇模型计算离子晶体的吸附性质，现在需要确定背景电荷，请问使用vasp+chargemol算出来的DDEC6电荷可以使用吗？我觉得这种方法计算量不大，不知道结果可不可信。另外在gaussian中算此类问题是不是只能加上背景电荷，不能像orca一样设置ECP层？

sobereva

明显不如CHELPG等拟合静电势电荷合适

这类问题，一般建议用CP2K等程序直接当周期性体系算，省事得多，速度还能快不少

capped ECP在Gaussian里恰当用鬼原子也能实现

CJW

sobereva 发表于 2022-6-4 02:06
明显不如CHELPG等拟合静电势电荷合适

这类问题，一般建议用CP2K等程序直接当周期性体系算，省事得多，速 ...

因为我希望通过势能面扫描拟合力场，试了用vasp算，得到的结果完全不对，所以只能用量化软件。

sobereva

CJW 发表于 2022-6-4 02:17
因为我希望通过势能面扫描拟合力场，试了用vasp算，得到的结果完全不对，所以只能用量化软件。

这里没说VASP的事

什么叫“不对”，第一性原理计算原理上能正常算的任务、合理描述的情况，你发现结果有问题，要么是你用法不对，要么是你预期的结果不对，不要随便赖程序。更何况用CP2K、Quantum ESPRESSO等程序又不是不能做扫描，就算某程序不直接支持扫描，写个脚本对结构进行位移产生一批结构、批量计算，也自然就得到扫描曲线了。如果你真觉得是某程序有bug，必须把前提充分交代清楚，以证明是程序自身的原因。“离子晶体的吸附性质”这么司空见惯的计算，恰当使用主流第一性原理程序怎么可能算不出正确结果。

CJW

sobereva 发表于 2022-6-4 06:14
这里没说VASP的事

什么叫“不对”，第一性原理计算原理上能正常算的任务、合理描述的情况，你发现结果 ...

对不起sob老师，是我没有交代清楚。我想算的是氢分子在离子晶体表面的吸附曲线。自己写脚本生成了一批结构，用vasp算出来的结果有两个问题：第一是固定了H-H键没法优化，而固定H-H键对于有kubas type的作用力来说显然是不合理的，算出来的势能曲线从原理上来说就不可接受；第二是至少对于vasp来说，这种小分子dimer的情况如果距离晶体太远的话波函数很难收敛，需要用H_h赝势，但是那样的话energy cutoff需要到910eV,计算量大了四倍，实际测试下来电子步收敛还是非常困难，特别是势能面扫描需要在z轴上加比较大的真空层，计算耗时基本上就接受不了了。所以还是考虑用量化软件通过簇模型做这个扫描。

sobereva

CJW 发表于 2022-6-4 10:30
对不起sob老师，是我没有交代清楚。我想算的是氢分子在离子晶体表面的吸附曲线。自己写脚本生成了一批结 ...

这个问题用CP2K算很简单
写个脚本，令H2距离表面不同z位置处做H原子z值不变的限制性优化，键长就能自发调节
如果只是物理吸附层面，对H2结构的影响可以完全忽略不计，都不用考虑键长的变化
至少CP2K在H2距离表面远的时候不会有什么特殊原因造成难收敛，而且可以CP2K还允许Z方向不考虑周期性，此时Z方向所需的盒子尺寸比用三维周期性时小得多，只要足够包住slab和H2就够了，用不着额外的真空层避免与Z方向镜像相互作用。

CJW

了解了！谢谢sob老师，我再去尝试一下。