吸收S0-S1的振子强度和发射S1-S0的振子强度的关系及对于PLQY的影响

yezhonghua

         guassian计算吸收，TD-DFT，得到了S0-S1的振子强度f1；然后激发态进行opt，得到S1-S0的振子强度f2。
         目前不是很明白f1和f2之间的关系，以及对于PLQY（荧光量子效率）的影响。
我计算了很多分子（TADF）发现如下的情况：
1、f2基本普遍要小于f1   
2、f1=0时，f2基本上=0；f1=0.2时，f2有时候能够在0.1-0.2之间，但是有时候f2接近0。
不是很清楚其中的原因，可否通过基态和激发态的homo/LUMO的重叠程度来定性的了解f1和f2的大小？
     另外PLQY是否和激发态的振子强度f2有关，f2较大的话其PLQY理论上会较大；另外我也发现了对于那些计算结果f2=0的分子，实验上其PLQY并不小。
哪位老师能够指点一下！
谢谢！

liuxiaogang0206

针对f1和f2的大小，HOMO-LUMO的重叠度应该是个不错的选择。

至于量子产率的大小，
TICT时 f=0, 但是很多TICT的荧光仍然很亮。其间震动带会贡献荧光发射。但很多计算都没有考虑这个效应。
还有些时候，例如荧光素中的meso-position的垂直取代基，不参与发光，但是会干扰计算。可以敲掉（用H代替）后再计算。

yezhonghua

liuxiaogang0206 发表于 2016-4-28 16:32
针对f1和f2的大小，HOMO-LUMO的重叠度应该是个不错的选择。

至于量子产率的大小，

谢谢！
不太明白振动带贡献荧光发射。可否详细说一下，麻烦了。
如果f（S1-S0）=0的情况下，特别是ICT分子，其S1-S0是跃迁受阻的；也即是其发射荧光的能力比较弱。