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[VASP] 请问怎么更清晰地理解VASP态密度计算的三个过程:结构优化,静态自洽计算和非自洽计

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1、静态自洽计算是为了拿到更准确的CHGCAR来进行态密度计算吗?2、结构优化也是自洽计算吧?我看有前辈解释自洽为通过迭代的方式数值求解微分-积分方程(Kohn-Sham方程),结构优化中的电子步和离子步都属于自洽吗?

3、非自洽计算,主要是读取CHGCAR里的电荷密度吗?
4、对应在INCAR中,为了有更简洁的参数设置(我每次参数能用默认就尽量不另外设置)相对于结构优化中的参数ISIF,EDIFFG,IBRION,POTIM等是不是在后续两步里可以不用设置了直接用默认的也不会有影响?
同问用于判断电子自洽收敛标准的EDIFF等参数是不是也可以不必另外设置?


譬如我想计算Pd的态密度:
我采用了如下三个INCAR:
INCAR:
PREC          =  Accurate
ENCUT         =     400
EDIFF         =    1.0E-5
EDIFFG        =     -0.03
NSW           =       100
IBRION        =          2
POTIM         =        0.25
ISIF          = 2
ISTART        =          0
ICHARG        =          2(关于这两个参数我也很纠结各步中怎么设置,怎么对我计算结果影响)
ISMEAR        =          0
SIGMA         =      0.1
IDIPOL        = 3
LDIPOL        = T
NCORE       =         4

INCAR:
PREC          =  Accurate
ENCUT         =      400
EDIFF         =     1.0E-5
EDIFFG        =     -0.03(这个参数是不是也可以不设置了)
NSW           =       0
ISMEAR        =          0
SIGMA         =      0.1
NCORE       =         4
INCAR:
PREC          =  Accurate
ENCUT         =     400
EDIFFG        =     -0.03(这个参数是不是也可以不设置了)
NSW           =       0
LWAVE         =          T
LCHARG        =    T
ISMEAR        =          0
SIGMA         =      0.1
LORBIT        =       10
NCORE       =         4

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