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[VASP] 求助计算的能带结构gap较大与文献差别大

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在重复文献中的算例。得出结果发现在0能级附近差别很大,文献中是过了0能级线,是因为INCAR参数有问题吗,还是其他原因,另外我修改了ISMEAR=1,发现没变化,我贴出了对比图和参数设置,求助各位老师看一看

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发表于 Post on 2023-6-19 09:15:26 | 只看该作者 Only view this author
你优化的结构和文献对比了吗?

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2023-6-19 13:50:02 | 只看该作者 Only view this author
jiangning198511 发表于 2023-6-19 09:15
你优化的结构和文献对比了吗?

晶格常数和文献是一样的

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发表于 Post on 2023-6-20 08:45:45 | 只看该作者 Only view this author
noman 发表于 2023-6-19 13:50
晶格常数和文献是一样的

调整一下ISMEAR看看,手册里面对半导体建议用-5

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