计算化学公社

 找回密码 Forget password
 注册 Register
Views: 649|回复 Reply: 2
打印 Print 上一主题 Last thread 下一主题 Next thread

[VASP] 关于GaN(0001)吸附表面加氢钝化

[复制链接 Copy URL]

8

帖子

0

威望

399

eV
积分
407

Level 3 能力者

GaN(0001)面内部Ga和N是4个键,表面Ga和N是3个键,请问为
1、什么底部N要钝化?
2、加氢钝化一般是不饱和键,但是这个体系用MS自动加H没给N加H,这是不是侧面印证表面是饱和的?
3、同时,单给底部的N加H,表面的Ga是不用管了吗?


26

帖子

0

威望

250

eV
积分
276

Level 3 能力者

2#
发表于 Post on 2023-11-18 21:03:31 | 只看该作者 Only view this author

8

帖子

0

威望

399

eV
积分
407

Level 3 能力者

3#
 楼主 Author| 发表于 Post on 2023-11-19 23:03:07 | 只看该作者 Only view this author
淦饭青年 发表于 2023-11-18 21:03
可以参考这个帖子https://blog.shishiruqi.com/2019/08/20/zhaofu-hetero/

感谢感谢!

本版积分规则 Credits rule

手机版 Mobile version|北京科音自然科学研究中心 Beijing Kein Research Center for Natural Sciences|京公网安备 11010502035419号|计算化学公社 — 北京科音旗下高水平计算化学交流论坛 ( 京ICP备14038949号-1 )|网站地图

GMT+8, 2024-11-25 19:32 , Processed in 0.297695 second(s), 23 queries , Gzip On.

快速回复 返回顶部 返回列表 Return to list