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计算化学公社»论坛首页 › 理论与计算化学 (Theoretical and Computational Chemistry) › 第一性原理 (First Principle) › Quantun atk计算MOSFET器件的IV特性问题
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[其它程序] Quantun atk计算MOSFET器件的IV特性问题

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sdu_cyh

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发表于 Post on 2024-4-10 20:27:55 | 只看该作者 Only view this author 回帖奖励 |倒序浏览 Reverse view |阅读模式 Reading model
想请问一下，为什么我在使用第一性原理进行MOSFET器件的IV特性计算的时候，在相同的原子数的情况下，P型掺杂的计算量比n型掺杂的大很多（或者说计算更难以收敛）。感谢。
本主题由 sobereva 于 2024-4-10 22:36 分类
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