求助GaN3和GaN3P6的电荷转移、d带中心、ORR的理论分析

Micheller · 发表于 Post on 2024-11-8 12:48:47

求助分析：a图是GaN3,b图是GaN3P6
问题1：文章提到掺杂P以后对结构的电子性质进行了调控，导致Ga位置d轨道更空（f图），与O-2p结合形成键，促进分子的吸附，图c显示O2和H2O的吸附更强。但是根据d带中心负移（d,e图），ORR反应中间体的吸附又是减弱了，是不是有点矛盾？不是都是与O结合吸附吗
问题2：O2的吸附强弱与中间体吸附强弱有关联吗

Micheller · 发表于 Post on 2024-11-8 12:51:57

第一行说错了，是GdN3和GdN3P6

sobereva · 发表于 Post on 2024-11-9 06:45:42

Micheller 发表于 2024-11-8 12:51
第一行说错了，是GdN3和GdN3P6

有别人回复之前若需要对帖子进行修改、补充，应直接编辑原帖，不要通过回帖进行补充，这点在置顶的新社员必读贴里明确说了。

如置顶的新社员必读贴、论坛首页的公告栏、版头的红色大字非常明确所示，求助帖必须在帖子标题明确体现出此帖内容是求助或提问，并清楚、准确反映出帖子具体内容，避免有任何歧义和含糊性，仔细看http://bbs.keinsci.com/thread-9348-1-1.html。我已把你的不恰当标题 “电荷转移；d带中心；ORR；理论分析” 改了，以后务必注意

sujie_0910 · 发表于 Post on 2024-11-13 19:16:34

你好，能不能发一下你优化GdN3晶面的INCAR文件

Micheller · 发表于 Post on 5 day ago

sujie_0910 发表于 2024-11-13 19:16
你好，能不能发一下你优化GdN3晶面的INCAR文件

这个是一篇文献，没有INCAR

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