求助单层MoS2的DOS计算处理，价带顶和导带底的位置和文献中的不一样

tyut-siggma

各位大佬，我在计算单层MoS2（3*3扩胞优化后）的DOS的时候，通过vaspkit111将TDOS拿到origin作图，发现我的价带顶和导带底的位置和文献中的不一样，其他形状，带隙都一致。只要我移动FERMI-ENERGY里面的费米能级大小就能和文献符合，但是vaspkit处理后不应该是会校正费米能级到0eV吗？然后我把vasprun.xml文件导入p4vasp中查看，跟用origin的dos图一模一样，p4vasp会自动校正费米能级到0吗？最主要的是，我在这个MoS2的模型上，形成一个S缺陷，以及在S缺陷上吸附一个Au原子，这两个算出来的DOS跟文献里面的一模一样，没有出现MoS2类似的问题。同样的计算平台，同样的计算参数，同样的数据处理，出现了这样的问题，请问这是什么情况？
SCF 中INCAR
ENCUT = 550
PREC = A
LWAVE = .TRUE.
LCHARG = .TRUE.
IVDW = 11

ISMEAR = 0
SIGMA = 0.05
NELM = 90
NELMIN = 6
EDIFF = 1E-6

NSW = 0
IBRION = 1
ISIF = 2
EDIFFG = -0.01
ISYM = 0

DOS中INCAR参数
LORBIT = 11
ICHARG = 11
ENCUT = 550
PREC = A
LWAVE = .FALSE.
LCHARG = .FALSE.
IVDW = 11


ISMEAR = -5
SIGMA = 0.05
NELM = 90
NELMIN = 6
EDIFF = 1E-6


NSW = 0
IBRION = 1
ISIF = 2
EDIFFG = -0.01
ISYM = 0