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[VASP] 求助:如何用vasp计算铁磁半导体的载流子迁移率

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最近在用形变势理论计算载流子迁移率,公式如下:

我在计算一个具有铁磁性的半导体时,发现有自旋向上和自旋向下两个能带,说明公式里的E就有四个分别为:自旋向上的VBM,自旋向上的CBM,自旋向下的VBM和自旋向下的CBM,那我计算载流子迁移率,是不是也要分为自旋向上的迁移率,和向下的迁移率呢?

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