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[综合交流] DFT理论框架下判断的电子转移过程能垒问题

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本帖最后由 ljh123 于 2025-1-21 03:18 编辑

图片来自文献Dichotomous Hydrogen Atom Transfer vs Proton-Coupled Electron Transfer During Activation of X–H Bonds (X = C, N, O) by Nonheme Iron–Oxo Complexes of Variable Basicity | Journal of the American Chemical Society。作者计算得到IRC后,对过渡态、产物、反应物等特征点进行了电子结构分析,并计算了自旋密度,从而判断IRC中PT和ET的过程。但是,按照Marcus理论,非绝热过程的ET也存在过渡态。而DFT框架下因为基于绝热近似,因此无法在IRC曲线中体现ET过程的能垒。
所以我有三个疑问,(1)如果我想判断ET过程的能垒的话,可以再用Marcus理论算吗?(2)图中这种情况的ET是绝热的还是非绝热的呢?(如果可以直接判断的话)(3)这里一个我想不清楚的点是,如果我要用Marcus理论计算的话,电子转移前的结构应该是什么?电子转移后是产物没错,可是电子转移前似乎无法通过结构优化得到(因为不在极小值点上)。十分感谢各位的解惑



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2#
发表于 Post on 2025-1-21 09:34:36 | 只看该作者 Only view this author
单纯电子转移没有过渡态呀,是要用Marcus计算,有很多讨论的帖子,用sob老师博文讲的“四点法”就可以

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