关于使用CP2K进行硅表面悬键键能计算的求助

xinxin19

各位老师好，我最近需要计算Si表面悬键Si-H键、Si-OH、Si-F、Si-Cl、Si-Br的键能，但得到的结论与文献或平常认知的不同，比如计算得到的Si-H键键能大于Si-OH的键能，Si-Cl、Si-Br的键能小于计算得到的Si-OH的键能，这令我十分困惑。所以想求助各位老师，辛苦帮我看一下是哪里出现了问题。我以计算的Si-H键为例，将计算的过程详细列在了下面。

（1）结构优化。我根据文献所述，以每个硅原子带一个氢的表面进行结构优化（即表面重构），具体的输入文件以附件形式上传，名字为Si_H_opt_chonggou.inp，计算得到的.restart与.out文件也一并上传；并用同样基组、k点和周期性下计算了这个体系的能量，具体的输入文件和输出文件也一并以附件形式上传，名字为Si_H_opt_chonggou_energy.inp/out。
（2）删掉一个氢原子后的能量计算。接下来我将硅表面的一个氢原子删掉，计算剩下的体系的能量，k点与周期性的设置与结构优化的条件是一致的，其中体系电荷设置如下：CHARGE   0 #Net charge     MULTIPLICITY    2 #Spin multiplicity  UKS。具体的输入文件和输出文件也一并以附件形式上传，名字为Si_H_opt_chonggou_deleted_H.inp/out
（3）计算氢原子的能量。最后我将第（2）步中被删掉的氢原子留下，计算H的能量，不设置k点与周期性，体系的电荷设置如下：CHARGE 0 #Net charge    MULTIPLICITY   2 #Spin multiplicity UKS。具体的输入文件和输出文件也一并以附件形式上传，名字为H_ENERGY.inp/out
（4）键能计算公式。最后键能照样按E(AB)-E(A)-E(B)得到。
上述就是我计算硅表面键能的详细方法，还请大家帮忙看一下哪里有误，这个过程应该怎样是合理准确的。万分感谢！！！

xinxin19

还请各位可能知道什么原因的老师停步来帮助指导一下哦，至今还是没有解决这个问题

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楼主请问这个问题解决了吗