同系列相似结构的单层二维COF真空层厚度该如何设置？

beeeest · 发表于 Post on yesterday 14:04

一共有四个需要计算的类似系列二维COF体系，四个体系ab轴晶胞参数都在37埃左右。前两个均为无金属六方COF，单层垂直c轴方向厚度约2至4埃。后两个COF体系是分别向前两个COF的配位点处引入二价铜后形成的，铜还有额外的配体，使得后两个单层COF垂直c轴方向厚度都比较厚（一个为5.8埃左右，另一个为7.4埃左右）。因为这四个体系都属于一个系列，我的真空层应该怎么加才使得这四个体系有可比性呢？下面两种方案哪个更合理呢？第一种，在各个体系中POSCAR c轴晶胞参数各自设为单层厚度+15埃；第二种，四个体系POSCAR c轴晶胞参数一律设为同一个足够大的值（比如22至23埃，相当于保证单层最厚的体系有15埃真空层）

beeeest · 发表于 Post on yesterday 14:04

我自己感觉似乎第一种更合理

luchen · 发表于 Post on yesterday 16:29

既然都算单层了，肯定就不考虑层间作用了。直接20A，抵消镜像间相互作用就完事了

beeeest · 发表于 Post on yesterday 17:57

luchen 发表于 2026-4-14 16:29
既然都算单层了，肯定就不考虑层间作用了。直接20A，抵消镜像间相互作用就完事了

您的意思是统一把c轴方向设置为20埃吗？但是这样不是相当于对每个体系真空层设置厚度不一样了吗，paper写参数设置时候怎么写呢？

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[VASP] 同系列相似结构的单层二维COF真空层厚度该如何设置？