CHDA在NbOPO4表面的吸附能数值过大改如何解决

Dempey · 发表于 Post on 前天 11:17

本帖最后由 Dempey 于 2026-8-13 11:17 编辑

我在计算顺式-1,4-环己烷二甲酸(cis-CHDA)在NbOPO4(100)表面上的吸附能时发现得到的吸附能为-12 eV，这似乎有些太大了，应该怎么解决呢？
优化时基组和赝势：H、C、O、P为pob-DZVP-rev2/ALL，Nb为DZVP-MOLOPT-SR-GTH/GTH-PBE，截断能为400 eV，
单点计算时基组和赝势：H、C、O、P为pob-TZVP-rev2/ALL，Nb为pob-TZVP-rev2/ECP pob-TZVP-rev2，截断能为600 eV，
泛函是PBE-D3(BJ)，使用OT算法，PSOLVER用WAVELET、PERIODIC、MT都试过了。
优化的数据算出PERIODIC是-11 eV左右，MT是-18 eV，WAVELET是-11 eV，单点能用更好的基组算也没有改善。
优化的输入输出文件如附件，ads-cCHDA.cif是优化后的结构

ads-cCHDA.zip (241.23 KB, 下载次数 Times of downloads: 5)

sobereva · 发表于 Post on 前天 21:50

优化完了用更好的基组算单点再求差，建议MOLOPT系列的TZ档次而且不带SR的，免得BSSE问题作祟。pob-TZVP-rev2的弥散程度不够，BSSE问题很大
并且先确保相互作用能（而非结合能）计算没问题，片段的坐标直接从优化完的整体里抠出来，并且使用相同的盒子
三维周期性体系没理由测试用wavelet

另外，当前吸附形成不止一个化学键，所以也不能预期数值不是很大

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