oniom中怎么通过拟合静电势做计算？

暖空

大家好！
最近在学习用oniom模拟固体发光，在查阅资料的时候看到sob老师的帖子说qeq电荷对静电势拟合的效果很不理想，
于是想通过RESP电荷拟合静电势，然后再进行进行相关计算，前期主要是构型优化。
我查阅了高斯16的手册，有如下描述：


于是就在oniom的输入文件中做了如下更改：
#p freq charge oniom(b3lyp/6-31g(d):uff=UnCharged)=embedcharge geom=connectivity
坐标部分是用setcharge小程序拟合的RESP电荷

运行的时候出现了如下报错：
No microiterations with Cartesian or Z-matrix opts.
查了一下报错，有的说是高斯的bug.

请问我这种输入是不是有问题？如果输入不对的话那应该怎么改输入文件呢？
谢谢指导。

暖空

sobereva 发表于 2019-10-29 17:58
你的表述意义不明

setcharge本身并不是设置拟合RESP电荷的工具，只不过是写入gjf而已

恩恩，谢谢老师的指点。setcharge我表述的有点儿问题，我是用Multiwfn做的中性分子的RESP电荷，然后用setcharge处理的带原子电荷的输入文件。拟合静电势我的理解确实不够充分，给您添麻烦了。写uncharge是我对高斯手册的定义理解错了，我再好好查阅一些资料和手册，后续有什么问题再来论坛请教，谢谢老师。

sobereva

你的表述意义不明

setcharge本身并不是设置拟合RESP电荷的工具，只不过是写入gjf而已
“qeq电荷对静电势拟合的效果很不理想”逻辑错误，应当是“QEq电荷对静电势重现性很差”

貌似你还没有正确理解什么叫拟合静电势

我也不知道你为什么要写uncharged，难道体系里有原子的电荷你事先没得到？

写charge也很莫名其妙，当前都已经给原子指定了电荷了，写charge毫无意义

先把这些解决，之后如果再有问题，上传输入文件