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[新手求助] 磷光发射能计算结果中电子激发信息是否对应T1→S0的发射?

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Excited State   1:      Triplet-A      1.3435 eV  922.82 nm  f=0.0000  <S**2>=2.000
     193 ->196         0.24132
     195 ->196         0.65024


计算得到的excite state 1也是指电子激发的过程?此时的计算的193 196,195 196的跃迁是指将T1优化结构作为基态结构的S0 T1跃迁吗?还是对应T1 S0?


2. 如何计算得到T1 → S0的发射跃迁?
[size=14.6667px]例如一下文献中的计算结果通过怎样计算能够得到[size=14.6667px]T1 [size=14.6667px]S0的发射跃迁[size=14.6667px]?
Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 2639–2647  


[size=14.6667px]

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2020-8-31 22:51:43 | 只看该作者 Only view this author
zhficcas 发表于 2020-8-27 20:27
1. 你现在计算可以说是T1到S0的发射。
2. S0到T1的跃迁,应该是跃迁禁阻的三重态垂直跃迁,对应的是吸附光 ...

老师;
对于你的回答,我是不是可以理解为:现在这个TD计算结果中的193→196,195→196的跃迁我既可以理解为S0→T1(极小点结构)的吸收,也可以理解为T1(极小点结构)→S0的垂直发射?   

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发表于 Post on 2020-8-27 20:53:01 | 只看该作者 Only view this author
如果当前结构是优化好的T1结构,这就是指T1结构下S0和T1态之间跃迁的特征,怎么解释取决于你,诸如可以解释为磷光发射能为1.3435 eV

仔细看
Gaussian中用TDDFT计算激发态和吸收、荧光、磷光光谱的方法
http://sobereva.com/314http://bbs.keinsci.com/thread-2413-1-1.html

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发表于 Post on 2020-8-27 20:27:41 | 只看该作者 Only view this author
1. 你现在计算可以说是T1到S0的发射。
2. S0到T1的跃迁,应该是跃迁禁阻的三重态垂直跃迁,对应的是吸附光谱(如果吸附光谱中能分辨出S0到T1的峰形),和T1到S0的意义是不一样的。

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