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计算化学公社»论坛首页 › 理论与计算化学 (Theoretical and Computational Chemistry) › 第一性原理 (First Principle) › 带电晶体缺陷的电荷范围的问题
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[VASP] 带电晶体缺陷的电荷范围的问题

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jackwangsg

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发表于 Post on 2022-2-22 16:04:55 | 只看该作者 Only view this author 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式 Reading model
大家好，
如题。目前正在研究晶体缺陷的DFT计算。
从化学方面，一个N 缺陷最多可以是+3电荷， 两个N应该是+6 电荷
但是为什么文献中无论多少个N 缺陷仍然都取【-3,3】这个范围？
谢谢
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