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[VASP] VASP计算Ni 111晶面吸附H,能量算的很大,没找出问题所在,新手求助,谢谢大家!

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楼主
这是Ni 111晶面和Ni 111晶面吸附H的INCAR文件和POSCAR文件 POSCAR (1.25 KB, 下载次数 Times of downloads: 3) POSCAR (1.31 KB, 下载次数 Times of downloads: 3) ,算出俩者能量相差2点多ev,吸附一个H不符合常理
SYSTEM = Ni(1\1\1)

LDAU = .TRUE.
LDAUTYPE = 2
LDAUL = 2 -1
LDAUU = 3.8 0
LDAUJ = 0  
PREC = Accurate      ! medium precision
EDIFF = 1e-4         ! electron relaxation criteria
EDIFFG = 1e-3        ! ion relaxation criteria
ENCUT = 400          ! Energy cutoff
ISIF = 2             ! internal coordinates relaxation
ISPIN = 2
IBRION = 2           ! CG
POTIM = 0.1
ICHARG = 2           ! superposition of atomic charge densities as initial density
ISYM = 0             ! memory conserving symmetry calculation
NSW = 600            ! maximum ion relaxation steps
ISMEAR = 2           ! Gaussian smearing
SIGMA = 0.2          ! width of smearing in eV
MAGMOM = 18*1
ALGO = Fast          ! mixed algorism with Davidson and RMM-DIIS
LWAVE = F            ! Save wave function
LCHARG = F           ! Save charge densities
LREAL = auto         ! Real space projection
IVDW = 12   

SYSTEM = Ni(1\1\1)-H

LDAU = .TRUE.
LDAUTYPE = 2
LDAUL = 2 -1
LDAUU = 3.52 0
LDAUJ = 0 0  
PREC = Accurate      ! medium precision
EDIFF = 1e-4         ! electron relaxation criteria
EDIFFG = 1e-3        ! ion relaxation criteria
ENCUT = 400          ! Energy cutoff
ISIF = 2             ! internal coordinates relaxation
ISPIN = 2
IBRION = 2           ! CG
POTIM = 0.1
ICHARG = 2           ! superposition of atomic charge densities as initial density
ISYM = 0             ! memory conserving symmetry calculation
NSW = 600            ! maximum ion relaxation steps
ISMEAR = 2           ! Gaussian smearing
SIGMA = 0.2         ! width of smearing in eV
MAGMOM=18*1 1*0
ALGO = Fast          ! mixed algorism with Davidson and RMM-DIIS
LWAVE = F            ! Save wave function
LCHARG = F           ! Save charge densities
LREAL = auto         ! Real space projection
IVDW = 12   

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2022-4-13 15:33:35 | 只看该作者 Only view this author
jiangning198511 发表于 2022-4-13 13:12
+U是因为DFT对部分氧化物不能给出合理的GAP, 对于金属而已 DFT(PBE)应该没啥问题,你可以看看相关Ni表面 ...

好的,非常感谢您

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发表于 Post on 2022-4-13 13:12:09 | 只看该作者 Only view this author
Colin 发表于 2022-4-13 09:35
好的,我试试,谢谢!能具体问一下,为什么金属不用加U吗,,我之前有这种过渡金属元素的计算都是加U了, ...

+U是因为DFT对部分氧化物不能给出合理的GAP, 对于金属而已 DFT(PBE)应该没啥问题,你可以看看相关Ni表面的相关文献 一般都不用+U

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2022-4-13 09:35:21 | 只看该作者 Only view this author
jiangning198511 发表于 2022-4-12 09:00
金属应该不用+U,去掉LDA+U 试试

好的,我试试,谢谢!能具体问一下,为什么金属不用加U吗,,我之前有这种过渡金属元素的计算都是加U了,但也是第一次算金属~

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发表于 Post on 2022-4-12 09:00:08 | 只看该作者 Only view this author
金属应该不用+U,去掉LDA+U 试试

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