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[建模与可视化] 求助：DFT计算HfO2/SiO2界面几何结构，是否必须保持界面 处绝缘(电中性)？

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云霭

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发表于 Post on 2022-11-10 15:38:11 | 只看该作者 Only view this author |只看大图 View big picture 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式 Reading model
在建立界面模型 HfO2/SiO2过程中，有三篇相关文献都采用了电中性界面，这种界面需要的条件比较苛刻，对于非晶SiO2更是如此，请问对于只跑正确几何结构，对能带不做要求，是否可以采用不是严格绝缘的界面模型？

Screenshot from 2022-11-10 15-37-03.png (369.72 KB, 下载次数 Times of downloads: 19)

SiO2/HfO2界面

SiO2/HfO2界面
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