计算方式选择及研究情况建议

NGC626

各位老师好，我目前的研究方向是用HFCVD设备(或者MPCVD设备)在非金刚石衬底上生长金刚石，第一步是用磁控溅射设备在氧化铝上镀铱膜，第二步是在HFCVD设备内偏压成核(Bias Enhanced Nucleation，BEN)，第三步是在HFCVD或者MPCVD设备内正式生长，但是实验进展极度不顺利，老师能给的指导近乎为零，故而想转做一点计算，本科期间接触过一点点量子化学，在分子动力学和第一性原理方面0基础，最近买了sob老师的分子动力学资料，正在自学，我很好奇能不能利用分子动力学或者第一性原理模拟以上三个过程，并讨论其现象背后的本质，我目前的想法是发文章赶紧毕业，水一点也无所谓，另外还想请各位对我目前的情况提出一些建议，谢谢各位老师。

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sobereva 发表于 2022-12-19 15:55
最好的做法就是先花两三周时间大量收集和阅读和你有关的问题的相关的理论计算文章，看看别人都已经做过什么 ...

感谢sob老师

sobereva

最好的做法就是先花两三周时间大量收集和阅读和你有关的问题的相关的理论计算文章，看看别人都已经做过什么，哪些类型体系和计算方式是比较成熟、你也有能力重现和效仿的，然后在别人的研究基础之上做一定拓展，这样发文章不困难，做起来也有把握。对于缺乏经验和导师指导，而且时间又有限的情况，不建议试图直接做没前人做过类似研究的课题，否则结果缺乏可预见性，太冒险。

NGC626

PS：目前题主研二，假如今后有机会申博的话，也打算侧重于理论计算方向，另外，学校虽然没有强制要求，但是导师要求以文章毕业的意志非常强烈。