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[VASP] 关于掺杂分子表面的吸附模型,进行几何优化时isif的设置问题

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进行计算时,老是对ISIF的选择产生疑惑。以下是我做表面掺杂对吸附的影响时一些步骤和问题:
1.未含掺杂的体材料ISIF=3优化。
2.切(001)建立表面模型,加真空层建立slab模型。对slab模型进行结构优化(固定底部原子,放开表面原子),设置ISIF=3(固定Z轴)。

3.未掺杂slab吸附H的模型,进行结构优化。此时isf设置为2还是3呢
4.向slab模型中掺杂原子,对掺杂模型进行结构优化,此时ISIF设置为3还是2呢?






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