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[CASTEP/Dmol3/MS] 求助:关于气体吸附电荷变化和气体分子变形

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楼主
各位老师好,我想问一下一些关于气体吸附的问题,我采用一种n型半导体材料(锡掺杂氧化铟),计算一些还原性气体(乙醇、甲醇以及丙酮),优化完成后,三个气体分子均发生了一些变形(醇类气体的H-O键被拉长,酮类气体的C=O键被拉长),并且由mulliken布局计算出来的电荷转移(吸附后气体分子的电荷相加)均为负值,也就是说明气体分子从ITO获得电子,感觉这与还原性气体给电子不一致,我也对这一块不太了解,想问一下,这种情况正常吗,非常感谢!

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2023-11-20 09:34:09 | 只看该作者 Only view this author
啊不错的飞过海 发表于 2023-11-18 18:42
我比较倾向于是DFT+U导致的。对于位于界面及附近的O/Sn/In,配位环境的变化会导致其电子结构的变化,基于 ...

好的,谢谢老师

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发表于 Post on 2023-11-18 18:42:26 | 只看该作者 Only view this author
BBH 发表于 2023-11-18 16:26
老师下午好,我用的是GGA_PBE +U(仅对ITO内的O、In、Sn进行了+U),同时进行了偶极校正,并且采用了DFT-D ...

我比较倾向于是DFT+U导致的。对于位于界面及附近的O/Sn/In,配位环境的变化会导致其电子结构的变化,基于周期性假设拟合的+U参数可能导致一些问题;调调+U参数可能会好些。结构优化方法倒是和这个问题关系不大,相互作用描述对了结构总会不会太怪。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2023-11-18 16:26:42 | 只看该作者 Only view this author
啊不错的飞过海 发表于 2023-11-17 17:57
我属实不理解这个现象,不过理论方法没出问题多少是可以试着解释解释的。你用的是什么方法?

老师下午好,我用的是GGA_PBE +U(仅对ITO内的O、In、Sn进行了+U),同时进行了偶极校正,并且采用了DFT-D2进行计算,计算吸附时,在达到Fine的计算精度之前都是采用的TPSD的算法进行计算,最后采用BFGS算法进行最后一次优化。

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发表于 Post on 2023-11-17 17:57:33 | 只看该作者 Only view this author
BBH 发表于 2023-11-17 15:34
好的,谢谢老师,像问一下,那醇类电荷转移这一块,我的这种结果就是不一定是错误的吗

我属实不理解这个现象,不过理论方法没出问题多少是可以试着解释解释的。你用的是什么方法?

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2023-11-17 15:34:59 | 只看该作者 Only view this author
啊不错的飞过海 发表于 2023-11-16 17:29
跟还不还原性有什么关系?配位的是氧/多重键,配位完原有的O-X键肯定要变长的,就算是把半导体换成别的路易 ...

好的,谢谢老师,像问一下,那醇类电荷转移这一块,我的这种结果就是不一定是错误的吗

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发表于 Post on 2023-11-16 17:29:54 | 只看该作者 Only view this author
跟还不还原性有什么关系?配位的是氧/多重键,配位完原有的O-X键肯定要变长的,就算是把半导体换成别的路易斯酸——比如,质子——也是一样的结果。Mulliken电荷倒是有些讨论空间,尤其是醇;我也好奇为什么吸附完它还能接受电子的。

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