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[SIESTA] 关于TranSiesta使用的一些问题

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各位老师好,我在抱着Siesta手册硬啃了一阵之后终于掌握了其一些基础用法,现在开始转向TranSiesta的学习与使用。
关于TranSiesta的学习过程中遇到一些问题,恳请了解的老师予以指点。使用版本为Siesta 4.1.5.

1 TranSiesta的使用是先建模电极,然后把中间的扩散区分子结构放进去进行NEGF的计算。请问这期间的K点如何设置?
因为我在看使用手册的时候,手册有的地方说电极方向为半无限区域,k点要设的极大(默认100),但有的地方又说半无限方向设置k点为1.请问应该按照哪个来设定?

2 手册中设置电极部分提到screening distance,与之相关联的还有buffer atom(缓冲原子)。手册中说不建议使用半导体材料作为电极,因其screening distance太大。
请问screening distance的物理含义是什么?它和buffer atom有什么关系?计算时是否需要设定buffer atom?进一步地,扩散区的分子端部和电极原子的距离应该如何设置?是否应该设成电极原子和扩散区分子有化学键相连?(我看很多实例都是直接把扩散区分子端部的一部分当做电极)

3 计算电极时是否需要再进行几何优化?对电极的形状是否有要求?板形电极和锥形电极哪个更好一些?我是用的Materials Project上下载的铜单胞cif文件扩胞后当做电极,是否还需要几何优化?

4 TranSiesta计算的时候,特别是对电极计算的SCF有没有什么特殊要求?对MPI和编译方法有没有要求?我目前的Siesta是用Intel 17编译的。
我在计算非金属有机体系时能够正常计算单点,但计算上面提到的铜电极就会报错Bad DM normalization。上论坛搜了一下似乎是MPI编译的问题,17和18都会报错。
但我用了Intel 15编译后直接不识别原子坐标block了。请问Bad DM normalization这种报错一般是计算设置原因还是编译的原因?4.1.5的TranSiesta应当用什么编译?

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发表于 Post on 2024-3-27 16:12:22 | 只看该作者 Only view this author
四眼骷髅王 发表于 2024-3-7 19:34
请问这是什么问题了两个小时不动,是不是我编译出问题了

我看不懂,因为我只会QATK

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发表于 Post on 2024-3-7 19:34:02 | 只看该作者 Only view this author
请问这是什么问题了两个小时不动,是不是我编译出问题了

202403071933339108..jpg (505.93 KB, 下载次数 Times of downloads: 27)

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2023-12-29 15:50:36 | 只看该作者 Only view this author
真步 发表于 2023-12-25 08:55
1.我们设置的K点是对电极设置的,传输方向需要设置100。K点设置需要根据布里渊区的大小判断,布里渊区越大 ...

谢谢您的详细回答!

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发表于 Post on 2023-12-25 08:55:13 | 只看该作者 Only view this author
1.我们设置的K点是对电极设置的,传输方向需要设置100。K点设置需要根据布里渊区的大小判断,布里渊区越大取点越多,越小K取越小。布里渊区大小与几何空间大小成反比。所以小原胞大K点,大原胞小K点。如果原胞无限大,1K点。并且注意K一般取奇数,偶数和奇数减一是等效的。如果你是纳米带或者纳米线做电极,必定有一个方向有真空层,也就是不重复的,一般真空层都足够大K直接设1。算三维铜电极的话,可以建(111)5*5,K设置5*5*100,截断能150ha。对于扩展分子,软件使用5*5*1,就是这样。
2.我不知道是屏蔽层的意思,电极要选导电性良好的材料,不然收敛不了。靠感觉连,不放心的话可以FIX电极结构弛豫一下。
3.需要,电极形状随便,都可以。因为实际情况都可能出现,所以可以设计不同电极来讨论。我感觉锥形研究的多一些。还需要。但是从头到尾优化和从来不优化,大多数情况对结果没有质的改变。

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