请教有关N掺杂石墨二缺功函数计算问题

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      最近读了一片关于N掺杂石墨二炔的理论研究的文章。该文章在使用StoBe程序，计算N掺杂石墨二缺的分子的XPS光谱。该文章中有段一话如下：The simulation was done in the gas phase while the experiment was carried out in the solid state.Work function f needs to be included to account for the difference.We calculated the work function of pure GDY (i.e.,considering dilute doping)at the size of 1 x1 with the same conditions and obtained a value of 5.3 eV,which was added to the simulated IPs.（文章的原文放在附件中）。
      我想咨询的问题入下：（1）上文所提的气相和固相，指光谱模拟的分子所在的环境吗？此处的固相，指分子是固相还是分子所处的环境是固相？（2）若上文中气固相指光谱模拟的分子所在的环境，请问为什么在模拟XPS光谱时候，不同的环境就要计算功函数，并按照这个分子的功函数的值对光谱的电离能进行位移？（此处：XPS光谱模拟时，所卷起出来的峰值指分子中激发原子的1S层电子被激发到空中所释放出的电离能）在固相和气相中对分子的电离能有什么影响。（3）按照上面的推测，是否在计算任何材料的XPS时候（无论是周期性还是非周期性，无论大分子还是小分子）都要计算功函数？
      是否有哪位路过的道友可以帮忙解答，万分感谢！