[综合讨论] 关于通过不同电荷态缺陷形成能判断是p型掺杂还是n型掺杂的问题

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qifei123

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发表于 Post on 2024-4-8 16:34:16 | 只看该作者 Only view this author |只看大图 View big picture 回帖奖励

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关于不同电荷态缺陷形成能的问题。我最近再算一个半导体的p型掺杂，我疑惑的一个点是判断掺杂是不是p型的条件是什么呢？是(0,-1)电荷态的转变能级很小就可以吗？如附图所示我知道1图肯定是p型掺杂，那么如2图所示的(0,-1)转变能级很大的话算不算p型呢？如4图所示，(1,-1)的转变能级很小，但是感觉图4是优先正价态，所以图4是n型掺杂还是p型掺杂呢？感谢各位老师解答

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