求助Si\high-k界面测试增加Si层，没有逐渐靠近bulk结构的带隙宽度

buhanhan · 发表于 Post on 2024-7-7 15:52:37

本帖最后由 buhanhan 于 2024-7-7 16:42 编辑

我在做Si\high-k界面的计算前，测试了通过增加Si层来试图减小Si切割界面对整体Si能带的影响，我的bulk的Si带隙是0.579eV，在（111）界面切割后，对切割后的结构取了不同层厚，并算了他们的能带数据，然而我发现在Si层过大时，咋个能带数据并没有如同我想的那样，逐渐靠近bulk结构的带隙宽度，这就是我算的一些能带数据，有大佬知道为什么吗？

我对切割后的结构，没有处理的界面用H钝化，切割后的界面并没有钝化处理，并在界面两端加了真空层，优化后的结构，发现均是切割的界面处，Si晶体结构被破坏，其他处的晶体结构并没有多大影响，为啥在16层时，能带数据又成负了呀

sobereva · 发表于 Post on 2024-7-7 16:12:19

有别人回复之前若需要对帖子进行修改、补充，应直接编辑原帖，不要通过回帖进行补充，这点在置顶的新社员必读贴里明确说了。

如置顶的新社员必读贴、论坛首页的公告栏、版头的红色大字非常明确所示，求助帖必须在帖子标题明确体现出此帖内容是求助或提问，并清楚、准确反映出帖子具体内容，避免有任何歧义和含糊性，仔细看http://bbs.keinsci.com/thread-9348-1-1.html。我已把你的不恰当标题 “边界效应” 改了，以后务必注意！

buhanhan · 发表于 Post on 2024-7-7 15:56:13

本帖最后由 buhanhan 于 2024-7-7 16:48 编辑

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[VASP] 求助Si\high-k界面测试增加Si层，没有逐渐靠近bulk结构的带隙宽度

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