求助分子在Si表面不同吸附位点的吸附分析

桂の猿

老师好

我最近在做A分子在Si(111)表面的吸附计算。

表面由四个吸附位点：top（与单个Si成键），hollow（与3个Si成键）, bridge（与2个Si成键）以及T4（与3个Si成键）。
我分别在计算后，利用Multiwfn软件后处理，得到了吸附后的
吸附能，A的电荷量以及Icohp如下

top：       -2.675 eV，0.7762，-6.6032 eV
hollow：  -3.538 eV，0.6125，-9.3161 eV
bridge:    -4.248 eV，0.6004，-9.5842 eV
T4:         -3.754 eV，0.6178，-9.2303 eV

从吸附能和Icohp来看，趋势相同，bridge是最稳定的吸附位点。
理论上不应该电荷转移量越大，吸附越稳定吗？
但是从电荷转移来看，则相反.
我用了Hirshfeld，Mulliken和Hirshfeld-I方法进行了分析电荷，虽然数值有差异，但趋势一致。

我也做了差分电荷密度图，电荷转移也主要集中在吸附位点和被吸附分子之间。

所以，请问应该如何解释这种现象？或应该进一步观察什么？
谢谢各位老师

桂の猿

sobereva 发表于 2024-11-25 22:27
电荷转移大小和吸附强弱没有必然正相关性
本来轨道相互作用就只是片段间相互作用的一部分，而电荷转移又仅 ...

谢谢 sob老师，我仔细阅读一下

sobereva

电荷转移大小和吸附强弱没有必然正相关性
本来轨道相互作用就只是片段间相互作用的一部分，而电荷转移又仅仅是轨道相互作用的一部分，绝对不要忽略其它因素。要有能量分解的概念，参考下文
使用sobEDA和sobEDAw方法做非常准确、快速、方便、普适的能量分解分析
http://sobereva.com/685（http://bbs.keinsci.com/thread-39446-1-1.html）

更何况没有吸附体系的具体信息，别人也没法判断吸附作用的主要本质。