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[VASP] 过渡态idpp.pl距离判断远的问题,过渡态插点不合理;甲烷化反应计算问题

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本帖最后由 CCYY 于 2024-12-15 21:21 编辑

打扰大家,我是过渡态计算的小白(计算的过程是甲烷化过程)
    问题1:请问disp.pl IS/POSCAR FS/POSCAR 显示的距离并不是最近的距离,很多时候是跑出晶胞外来进行插点,并不能保证距离最近的插点,这是为什么?我已经保证了初末态原子的一一对应。 有时候对于其他体系就可以,然而换了一个基底材料进行过渡态计算,显示距离就不一样,导致插点结构不一样。请问如何保证插点的反应路径是最近的且合理的,比如该图,我想要1的路径然而无论我如何调整原子序号,总是给我2的路径,跨过该晶胞通过另一侧进行插点。

    问题2:初末态的位置问题:反应初始态和末态必须保证是在基底上的最低吸附能(大于5埃也无所谓),还是只要是各自的吸附位点稳定存在就行(优先保证反应前后距离别太远<5埃);我也测试过有的反应,初态距离末态3埃和5埃的距离计算出的能垒差别并不大,然而大于5埃的情况,能垒会发生改变(目前测试的一个是能垒由0.93降低至0.23)

    问题3:如何初始状态结构优化时就不存在,是不是证明该反应无法进行,比如CH3+H=CH4的过程,CH3和H原子放在基底上时CH3直接发生分解,因此导致无法计算过渡态。这个我有很大的疑问,因为实验产物是存在CH4的,然而计算却无法和实验相互映照。
    麻烦各位前辈解惑,十分感谢!

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2#
发表于 Post on 2025-3-4 13:36:43 | 只看该作者 Only view this author
第三个问题,有没有可能是生成甲烷与甲烷脱附在这个材料表面上,是同步进行的

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