CI-NEB中计算电子迁移能垒的疑问

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  在进行迁移能垒计算时，遇到了一些报错问题，想请教各位大佬如何解决？体系为单斜相钒酸铋，想在左半部分添加额外电子在V位点作为cNEB的初态，右半部分电子局域在另一个V位点作为末态，在两个模型建模离子弛豫时，在INCAR添加NELECT = NELECT +1 （原本NELECT = 832，新NELECT = 833)，在vasp.out中频繁出现，the old and the new charge density differ  old charge density:   832.00000 new  833.00000  BRMIX: very serious problems  the old and the new charge density differ
  之后找了很多解决方案都没有用，例如改提交脚本文件里export I_MPI_ADJUST_REDUCE=3和在INCAR里LSCALAPACK = .FALSE.发现都没有用，想请问一下各位大佬，关于电子空穴（极化子）这些抽象东西如何计算迁移能垒，本人刚刚接触这些，希望得到大家不同的见解，我也同时提高自己的认知