求助：cp2k计算sio2表面吸附h2o分子时的电荷设置问题

zdbikobc

sob老师和各位老师好，我在cp2k中进行sio2表面吸附h2o分子的计算（周期性表面体系），其中表面构型包含一些缺陷，例如氧悬挂键、硅悬挂键等，新手有一些问题不明白：

1、在计算过程中是否需要根据缺陷类型来添加电荷？
看到一些帖子讨论周期性体系带电的一些情况，然而能力有限并不能完全理解。我在体系电中性的情况下对含有氧悬挂键表面的结构进行优化出现scf不收敛的情况，但此时尚未尝试sob老师之前说的一些帮助收敛的方法，目前疑问就是：应该继续在电中性的情况下尝试收敛还是应该考虑体系电荷？

2、如果针对羟基等基团进行吸附计算是否需要考虑自旋极化呢？

烦请老师指教！

zdbikobc

sobereva 发表于 2026-1-5 00:06
净电荷该是多少就设多少，跟SCF收敛情况完全是两码事。净电荷设得和实际不符时SCF收敛了也没意义；净电荷设 ...

好的，感谢sob老师解惑

sobereva

净电荷该是多少就设多少，跟SCF收敛情况完全是两码事。净电荷设得和实际不符时SCF收敛了也没意义；净电荷设得和实际相符时，SCF不收敛该怎么解决怎么解决（下文）
CP2K中遇到SCF难收敛时的解决方法
http://sobereva.com/665（http://bbs.keinsci.com/thread-37196-1-1.html）

带单电子的体系，若无特殊情况/目的（如考虑自旋极化并不重要，而当成闭壳层算能大为节约计算时间时），都应考虑自旋极化，一方面与实际相符，另一方面免得被质疑