求助计算氧缺陷形成能公式中的氧化学势在贫氧富氧条件下的取值问题

是ystian · 发表于 Post on 2022-9-14 17:01:35

1.在图片的公式中，当计算氧相关缺陷的时候，文献中提到μi=0时是富元素情况以至于可以形成完整的元素相。我所理解的当计算Vo/Oi在不同氧条件下（贫氧/富氧）的形成能时，这个氧浓度条件是依靠改变μi的取值实现的，但是这个μi的取值究竟是通过怎样的原则实现的呢？
2.当我用VASP计算带电缺陷时，也是就是公式当中的q，我用NELECT设置总体电荷数以达到使所计算缺陷带电的目的，但是计算后发现体系能量发散掉了，几万几十万那种数值，我怀疑是我改变NELECT以后，超胞带电导致整体体系周期性带电造成的能量发散？不知道我的考虑是否正确，以及求问带电缺陷的正确处理方式，还请懂得相关问题的大佬不吝赐教。

是ystian · 发表于 Post on 2022-9-15 16:06:28

问题已经解决啦，自己琢磨好了，要是有同学不太明白我可以讲一下

qqf · 发表于 Post on 2022-9-30 10:05:34

楼主你好，你的氧的化学势是如何确定的呀？我只知道它在一定范围内变化

是ystian · 发表于 Post on 2022-10-2 20:17:52

qqf 发表于 2022-9-30 10:05
楼主你好，你的氧的化学势是如何确定的呀？我只知道它在一定范围内变化

就是在1/2氧气分子能量~所研究化合物中【E（Oxide）-E(Metal)】/nO这个范围内吧，具体物理含义好像是说超过这个范围它会自发生成纯的化合相而无法参与具体化学反应类似的说明，之前看一个帖子讲解的

qiyaqi · 发表于 Post on 2023-10-13 20:06:53

求助楼主最后一项 delta V是怎么计算的？能否告知一下计算细节

是ystian · 发表于 Post on 2024-9-25 18:17:36

qiyaqi 发表于 2023-10-13 20:06
求助楼主最后一项 delta V是怎么计算的？能否告知一下计算细节

很抱歉好久没看帖子回复了，不知道现在回复还来不来得及，简单的说就是取：有/无缺陷超胞的，远离缺陷位置处静电势的面平均（一般是YZ面），然后再将有/无缺陷超胞的这个所得静电势相减得到的。这个是我曾经在别的地方学到的，具体原理我也不甚清楚。然后这个静电势可以通过vasp计算后的LOCPOT得到。

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[VASP] 求助计算氧缺陷形成能公式中的氧化学势在贫氧富氧条件下的取值问题

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