求助vaspsol计算反应路径能量的相关问题

itachww

诸位好，最近使用vasp计算一个碳纳米管表面PDS分子解离的反应。构建的是一个有限长度的团簇单壁碳纳米管，上面吸附带电的PDS离子。在真空条件下计算了带电离子的解离初末构型以及过渡态，之后希望加上隐式溶剂模型进行计算。我的做法是使用vaspsol对反应路径各个态计算了一遍单点得到隐式溶剂下的能量，但发现加入隐式溶剂后，过渡态能量低于初态，尝试各种参数调整未果。本身真空下反应能垒将近1eV。有以下疑问：
1. 仅仅计算隐式溶剂下的单点能是否可以定性反映反应路径的趋势？有相关帖子提到隐式溶剂优化一般不会对结构造成太大影响，而本体系较大，因此没有加隐式溶剂进行结构优化。（对于初态，也尝试优化过，确实对构型和能量影响不大）
2. 对于过渡态结构的能量，直接加隐式溶剂参数进行单点计算是否合理？还是说必须加隐式溶剂参数进行过渡态的计算，但这样的话计算资源消耗相当大。
3. 如果计算本身没有问题，所获得过渡态能量低于初态意味着反应势能面发生极端的改变？是无垒反应？
4. 是否是因为本身体系带电的原因？由于我的模型整体算是团簇模型，因此采用加入IDIPOL=4偶极子校正的方式来计算，是否合理？

vivi145

想请问一下解决了吗？我也有类似的问题