求助：改变缩放因子对吸附计算有影响吗

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前提：计算钙钛矿氧化物对于小分子的吸附，目前的问题是，吸附H2O分子时一直无法解决优化过后表面单独氧原子断键的问题，这个问题跟老板商量过，老板认为现实是不会有这种情况的发生的，他认为这是VASP结构优化时能量趋向最低，所以不得不断开这个键，而实际上是不会有这种情况发生的，所以老板建议我试一下以下方法：
1、修改缩放因子，即POSCAR第二行的系数，做结构优化，画出类似图1的图拟合出一个最低点，目前我是利用科学网的一个方法找到一个拟合的最低点（不一定准确）正在等结果，看看是否能够做到最低的结果；https://blog.sciencenet.cn/blog-3388193-1152915.html（VASP中E-V曲线的计算以及使用origin进行BM状态方程的拟合）
2、或者我也想到第二种办法，即写一个脚本，用一天时间计算一下0.995~1.005之间的100个点，看能否找到能量最低状态。
目前的疑惑是，缩放因子的改变会对吸附的计算的表面原子键断裂会有影响吗？有什么别的办法解决问题吗？
图2为表面原子断键情况，目前只有两个位点有断裂情况，弛豫3层、2层都会有这个问题