求助：能带图异常且没有提示报错，是什么原因呢？

小分子molecule · 发表于 Post on 2023-4-27 11:43:24

参考文献中该材料是半导体，我计算出来呈Metallic，能带图异常。具体参数如下，请问是什么原因呢？

xexlalalan · 发表于 Post on 2023-4-27 11:55:58

你用的vaspkit画的能带吗？如果是的话，把NBAND设得大一些。你仔细看一下，会发现能带的点都是对的，是vaspkit把能带线连错了。

小分子molecule · 发表于 Post on 2023-4-27 12:06:22

xexlalalan 发表于 2023-4-27 11:55
你用的vaspkit画的能带吗？如果是的话，把NBAND设得大一些。你仔细看一下，会发现能带的点都是对的，是vasp ...

是的，用vaspkit画的。我去改一下看看，谢谢。

小分子molecule · 发表于 Post on 2023-4-30 00:06:17

xexlalalan 发表于 2023-4-27 11:55
你用的vaspkit画的能带吗？如果是的话，把NBAND设得大一些。你仔细看一下，会发现能带的点都是对的，是vasp ...

您好，我把NBANDS增大重新画过了，另外用点的方式画了一下，还是和参考文献的能带图相差很大，不知道是什么原因呢？

xexlalalan · 发表于 Post on 2023-5-6 13:47:49

小分子molecule 发表于 2023-4-30 00:06
您好，我把NBANDS增大重新画过了，另外用点的方式画了一下，还是和参考文献的能带图相差很大，不知道是什 ...

如果是和参考文献差的远的话，先确定你和参考文献用的是不是一样的方法。泛函，基组种类和截断能，PBE+U的设置，以及其他的INCAR各种设定，一个不一样就都不一样。我也不太清楚你的相差很大指的是哪一方面，如果是算带隙，那么很多参数换一个就是不一样的数

xexlalalan · 发表于 Post on 2023-5-6 13:51:19

小分子molecule 发表于 2023-4-30 00:06
您好，我把NBANDS增大重新画过了，另外用点的方式画了一下，还是和参考文献的能带图相差很大，不知道是什 ...

横纵坐标也都有问题，横坐标应该是布里渊区高对称点，纵坐标的把零点调到VBM。有些晶系有多种画能带图的布里渊区路径，路径不一样肯定差的很大。把图改好再作比较。要让大家比较的话也要把参考文献的图发上来

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