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计算化学公社»论坛首页 › 理论与计算化学 (Theoretical and Computational Chemistry) › 第一性原理 (First Principle) › 求助vasp计算ZnIn2S4单层带隙的问题
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[VASP] 求助vasp计算ZnIn2S4单层带隙的问题

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zhangmy

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楼主
发表于 Post on 2023-10-21 21:17:31 | 只看该作者 Only view this author 回帖奖励 |倒序浏览 Reverse view |阅读模式 Reading model
有算过ZnIn2S4体系的大佬吗，文献里ZIS单层（切的001面）的能带隙是2eV左右，但是我怎么算都是负的零点多想知道是怎么回事，具体有什么计算方法或者建模会对带隙有那么大的影响？
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