关于计算压电系数的一些问题

Shana

各位老师好，请教一下使用vasp通过形变势计算压电系数的一些问题。除了DFPT方法之外，压电系数还可以通过如下的公式进行计算， 其中右边第一项是“clamped-ion term“，第二项是”internal-strain term“。对于这个公式还可以进行变化， 。关于这个方法，小弟有几个问题。
问题1：clamped-ion term 是指对材料试加一个应变，计算其电极化强度，然后进行电极化强度-应变的拟合吗？类似于能量-应变法计算弹性系数？
问题2：那么internal-strain term 是指对材料试加应变之后，进行离子的弛豫，然后计算 ？如果是的话，这个u是原子的笛卡尔坐标，还是分数坐标呢？小弟认为，u应该是分数坐标。
问题3：在vasp中，如果使用DFPT方法，或者FD方法，能够计算出internal strain tensor。这个internal strain tensor是 吗？这是vasp中关于tag IBRION的描述：”If [url=]IBRION[/url]=6 and ISIF>=3 the elastic and internal strain tensors are computed as well.“
问题4：vasp在使用DFPT或FD方法的时候，能够输出每个原子的internal strain tensor。如果采用berry phase 方法，计算压电系数，能够输出每个原子的贡献吗？
感谢各位老师的解答。

bailinyu

请问楼主解决了吗？我看好多给的教程都是施加应变后不进行离子弛豫，只算单点能。但是按道理离子贡献的压电系数应该需要进行弛豫啊。。。。

Shana

bailinyu 发表于 2024-9-9 09:46
请问楼主解决了吗？我看好多给的教程都是施加应变后不进行离子弛豫，只算单点能。但是按道理离子贡献的压电 ...

分两部分，relaxed和DFPT算的总的压电系数是一致的；固定结构算单点，对应的是clamped-on term