金属-半导体接触中半导体肖特基势垒的获取方法

Light777

请教各位老师，在金属-半导体接触中通过PDOS数据获取半导体肖特基势垒的方法。
在文献中看到通过对齐深能级电子能量排布的方式获取，网上查阅看到了张老师的博客（http://blog.sciencenet.cn/blog-2686986-1172373.html），里面提到的Core-level alignment method，直接考虑在dos或者band图中读出最深的一个band （or PDOS）的能量位置作为core level (or semi-core level)，然后通过读出初始半导体材料中芯能级跟价带顶能量差来获取接触界面中半导体的价带顶位置。
在实际计算中遇到以下的问题，在DOS图中获取最深的DOS能量作为core level，以下DOS图为例，红框中为深能级电子的DOS，那么最深能级的DOS能量位置就是能量最小且DOS值不为0的能量值吗。
不同接触中，红框中能量宽度都是不同的，那么是否可以认为该理论中只有最深能级（core level）到价带顶的能量是不变的，深能级电子能量的排布（红框中的）受到了接触的影响。
希望老师们不吝赐教，感谢各位老师！