光学性能、DOS、能带等计算前的优化步骤是否必须有？

yeahhanpei

各位老师好，我最近用vasp模拟一个GeSbTe合金体系升温（600-1200K）发生结构变化的过程，如在1152K时，发现结构中原子跳跃发生明显位移，在此温度下又另外进行了10ps的等温模拟已获得该温度的平衡结构。我想比较升温过程中结构的变化对应的光学等性质的变化，但是在我把1152K时能量最低的结构（见插图，图中箭头表示原子从初始位置跃迁到了新位置）拿出来优化后，原子又跑了回去。现在有疑惑向老师请教：
光学等性质的计算前，是否必须有优化这一步？
1.若是，那么1152K的最稳定结构优化后就变成和600K初态一样的原子排布规则的结构了，这样就得不到我想要的原子发生跃迁后的结构了（关于这一点，会不会是该温度下原子还没迁移，但是后续的MD平衡轨迹中原子一直是在新位置附近振动的。）；
2.若不是，那我是否可以以1152K的最低能量结构为基础（对其它温度下的结构也进行类似操作），来做静态计算，再做后续的各种性能的计算并比较？


谢谢老师