过渡态自由能能垒为负值求教

wangyuxiao

wzkchem5 发表于 2023-5-16 18:18
1. 说明吸附很少，不是不能吸附。另外注意反复确认你是不是已经穷尽了所有可能的吸附构型/吸附位点，并恰 ...

非常感谢老师耐心详细的回复。
1、我尝试了O2在表面的六种可能的吸附，只有两种吸附位点优化完后，O2与表面成键，一种O2分子的键长变为1.48埃，另一种优化完成后变为两个O原子。其余的吸附位点的O2远离表面，距离为3.2埃左右。老师所说的自旋多重度的设置，是在INCAR输入文件中吗，我之前好像没设置过
2、我看文献中没有利用吸附位点为正值进行后续反应路径计算的，所以不太确定这种吸附会不会被审稿人认可。

3、老师，我用vaspkit计算了一下700、800、900K下（实验上O2和表面的反应是在反应温度为500℃-700℃进行的），O2分子吸附在表面的优化后结构的自由能校正，发现G(T)随着温度的升高越来越负。老师单纯的G(T)为负可以说明O2分子可以吸附在表面吗？刚刚接触这部分内容，问题有点低级，还请老师指点一下。

wangyuxiao

wzkchem5 发表于 2023-5-16 18:18
1. 说明吸附很少，不是不能吸附。另外注意反复确认你是不是已经穷尽了所有可能的吸附构型/吸附位点，并恰 ...

非常感谢老师耐心详细的回复。
1、我尝试了O2在表面的六种可能的吸附，只有两种吸附位点优化完后，O2与表面成键，一种O2分子的键长变为1.48埃，另一种优化完成后变为两个O原子。其余的吸附位点的O2远离表面，距离为3.2埃左右。老师所说的自旋多重度的设置，是在INCAR输入文件中吗，我之前好像没设置过。
2、我看文献中没有利用吸附位点为正值进行后续反应路径计算的，所以不太确定这种吸附会不会被审稿人认可。
3、老师，我用vaspkit计算了一下700、800、900K下（实验上O2和表面的反应是在反应温度为500℃-700℃进行的），O2分子吸附在表面的优化后结构的自由能校正，发现G(T)随着温度的升高越来越负。老师单纯的G(T)为负可以说明O2分子可以吸附在表面吗？刚刚接触这部分内容，问题有点低级，还请老师指点一下。

wangyuxiao

wzkchem5 发表于 2023-5-16 18:18
1. 说明吸附很少，不是不能吸附。另外注意反复确认你是不是已经穷尽了所有可能的吸附构型/吸附位点，并恰 ...

非常感谢老师耐心详细的回复。
1、我尝试了O2在表面的六种可能的吸附，只有两种吸附位点优化完后，O2与表面成键，一种O2分子的键长变为1.48埃，另一种优化完成后变为两个O原子。其余的吸附位点的O2远离表面，距离为3.2埃左右。老师所说的自旋多重度的设置，是在INCAR输入文件中吗，我之前好像没设置过
2、我看文献中没有利用吸附位点为正值进行后续反应路径计算的，所以不太确定这种吸附会不会被审稿人认可。
3、老师，我用vaspkit计算了一下700、800、900K下（实验上O2和表面的反应是在反应温度为500℃-700℃进行的），O2分子吸附在表面的优化后结构的自由能校正，发现G(T)随着温度的升高越来越负。老师单纯的G(T)为负可以说明O2分子可以吸附在表面吗？刚刚接触这部分内容，问题有点低级，还请老师指点一下。

wzkchem5

wangyuxiao 发表于 2023-5-17 03:04
非常感谢老师耐心详细的回复。
1、我尝试了O2在表面的六种可能的吸附，只有两种吸附位点优化完后，O2与 ...

1. 哦我没注意你是用VASP算的，那应该考虑磁矩。换句话说就是得确认一下氧气吸附以后是否还有单电子，如果有的话两个单电子的自旋是否仍然平行
2. 你看了多少篇文献？找100篇文献，肯定是有的。被审稿人质疑就引物化教材，说你算出来的是标准自由能而非自由能，只有自由能变大于0才是不能吸附，标准自由能变大于0不意味着不能吸附
3. G(T)不说明任何问题，只有吸附前后G(T)的变化才能说明问题。决定反应能否自发进行的是自由能在反应前后的变化，而非自由能本身，更不是自由能随温度的变化

wangyuxiao

wzkchem5 发表于 2023-5-17 16:12
1. 哦我没注意你是用VASP算的，那应该考虑磁矩。换句话说就是得确认一下氧气吸附以后是否还有单电子，如 ...

嗯嗯，非常感谢老师的回复。学到了很多知识，认识到自己对物化的知识欠缺很多。再次感谢老师的耐心的解答。