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楼主 Author: 刘由牛
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[综合交流] Gaussian 做导电或者介电高分子可以从哪些角度来分析

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发表于 Post on 2020-10-10 14:47:15 | 只看该作者 Only view this author
喵星大佬 发表于 2020-10-10 14:43
之前看到席老师的各种奇葩配合物里面用到,可能恰好看过几个emmmm有点偏差。

那应该是个例,整个学院平均而言还是以高斯、vasp为主,其次是orca
Zikuan Wang
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发表于 Post on 2020-10-13 06:47:57 | 只看该作者 Only view this author
刘由牛 发表于 2020-10-10 09:24
老师,有没有分子内转移速率的说法。如果有的话该如何计算

可以用tranSIESTA、ALACANT、QuantumATK、Nanodcal、OpenMX、DFTB+、GAPW、NanoTCAD ViDES、Dmol3、ADF、BAND基于非平衡态格林函数-密度泛函理论(NEGF-DFT)做输运计算。用里面的免费的就够了,没必要花钱
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 楼主 Author| 发表于 Post on 2020-11-13 11:33:18 | 只看该作者 Only view this author
sobereva 发表于 2020-10-13 06:47
可以用tranSIESTA、ALACANT、QuantumATK、Nanodcal、OpenMX、DFTB+、GAPW、NanoTCAD ViDES、Dmol3、ADF、 ...

老师,我有个问题想问您。高分子材料的击穿电压一般在10的7或者8次方V/m左右,而如果我们计算所加的电场0.01a.u.大约是10的9次方,远高于材料的击穿电压。这样加电场还有意义吗?

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发表于 Post on 2020-11-13 14:46:38 | 只看该作者 Only view this author
刘由牛 发表于 2020-11-13 11:33
老师,我有个问题想问您。高分子材料的击穿电压一般在10的7或者8次方V/m左右,而如果我们计算所加的电场0. ...

应该问题不大,计算只取非常薄的一段材料(纳米量级),当材料很薄的时候,就没那么容易击穿了。
可以这么想,你沉积一个单分子层的材料在STM基底上,STM针尖离基底1nm,加1V电压,肯定不至于击穿对不对,但是场强已经到10^9 V/m了。
Zikuan Wang
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 楼主 Author| 发表于 Post on 2020-11-13 16:06:05 | 只看该作者 Only view this author
wzkchem5 发表于 2020-11-13 14:46
应该问题不大,计算只取非常薄的一段材料(纳米量级),当材料很薄的时候,就没那么容易击穿了。
可以这 ...

太感谢老师了,这个问题困扰了我很久。

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