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初涉半导体领域。
现拟构建个β-Bi2O3/(Bi2O2)CO3构成的p-n异质结。
1. 根据(CrystEngComm, 2015, 17, 6098)一文,拟用P-4b2的β-Bi2O3(9012327)和Imm2的Bi2O2CO3(9004677)来做。(事实上COD库中还有许多其他不同晶型的β-Bi2O3和(Bi2O2)CO3,见附件)。
2. 这两个氧化物的001面都有较大活性,且二者001面“长”得很像,所以考虑从这个面去“粘接”形成p-n异质结(图1)。
3. 可能是厚度,角度或方向等选取的不对,所以build layer后会有晶格失配,多出一些原子或乱成键 (图2)。
由于之前未有构建此类模型的经验,所以不知如何进行合理的切割和匹配,以及,何种情况下可以说所得模型是很可能合理的?
此事受人之托,旨在一口气能得到结果,所以希望过来人给些建议,甚至是具体的步骤。
Fig.1 β-Bi2O3与Bi2O2CO3
Fig.2 heterojunction
beta-Bi2O3_9007723.cif
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beta-Bi2O3_9009850.cif
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beta-Bi2O3_9012327.cif
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beta-Bi2O3_9012546.cif
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CBi2O5_1530018.cif
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CBi2O5_9004677.cif
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CrystEngComm, 2015, 17, 6098.pdf
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CrystEngComm, 2015, 17, 6098 SI.pdf
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