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[VASP] 求助 计算氧空位形成能时删掉的氧原子在面上(即2个半个的原子)可以吗

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本帖最后由 layer 于 2023-1-28 12:33 编辑

请教各位老师,我使用vasp计算面上的氧的氧空位形成能算出来的形成能为9点多,很大,晶胞内的氧的形成能正常,为1点多,想问下老师们,形成能9点多是不是不正常?是因为面上的氧不能算氧空位形成能吗,需要再扩胞才能算这个位置的氧空位形成能吗?


如图:算的是蓝色圈住的氧的形成能比较大,其余位置的形成能都是1点多,2点多

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发表于 Post on 2023-1-30 14:38:52 | 只看该作者 Only view this author
我一般算的是表面的氧空位形成能,跟你算晶胞的有一些区别。目测蓝框标记的氧的化学环境与晶胞内部的都不一样,如果计算参数和流程都是一样的话,结果就具有可比性(说明蓝框标记处的氧空位相对更难形成)。扩胞对于氧空位形成能的计算结果的准确性我认为是有改善的。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2023-1-30 22:21:29 | 只看该作者 Only view this author
受益匪浅,谢谢您

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发表于 Post on 2023-7-15 22:10:04 | 只看该作者 Only view this author
老师,您好!请问模拟氧空位的话是把那个氧原子删除再进行优化吗?

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发表于 Post on 2024-4-13 19:20:23 | 只看该作者 Only view this author
xzf925822454 发表于 2023-7-15 22:10
老师,您好!请问模拟氧空位的话是把那个氧原子删除再进行优化吗?

老哥,你知道怎么算了嘛?我现在知道了两种算法。第一种是扣掉一个氧原子,直接在对结构进行优化和能量计算。第二种是,扣掉一个氧原子,然后固定氧空位周围原子的坐标,再进行结构优化和能量计算。不知道那一种是对的。第一种优化过程中(例如高斯,石墨烯的碳空位缺陷),扣掉碳原子,周围的原子会移动,并优化为五元环。第二种优化要固定周围碳原子坐标。

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发表于 Post on 2024-9-20 15:59:52 | 只看该作者 Only view this author
甲壳虫 发表于 2024-4-13 19:20
老哥,你知道怎么算了嘛?我现在知道了两种算法。第一种是扣掉一个氧原子,直接在对结构进行优化和能量计 ...

有答案了嘛?

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