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计算化学公社»论坛首页 › 理论与计算化学 (Theoretical and Computational Chemistry) › 第一性原理 (First Principle) › Cu掺杂会提高CsPbCl3中Cl空位缺陷形成能
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[VASP] Cu掺杂会提高CsPbCl3中Cl空位缺陷形成能

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zwx

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发表于 Post on 2023-6-23 16:40:26 | 只看该作者 Only view this author |只看大图 View big picture 回帖奖励 |倒序浏览 Reverse view |阅读模式 Reading model
Cu掺杂会提高CsPbCl3中Cl空位缺陷形成能，模型的选择，请教各位老司机们！

202306231638097700..png (145.24 KB, 下载次数 Times of downloads: 2)

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