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本帖最后由 qqppoqq 于 2023-8-19 20:30 编辑
各位老师好,我近期做一个课题要考察NiO(200)表面。
之后我想用cp2k试着做一个几何优化的时候,
我参照了科音cp2k第一性原理培训班的课件上面设置Fe2O3的方法设置了反磁性,即每一层都设置相反的磁性。然后使用Diag的方法进行优化。设置了K点。
然后进行优化:
首先原胞的优化是可以收敛的,PBEsol
接下来切平面,PBE+DZVP-MOLOPT-SR-GTH。K点设为7,7,1。加了15A的真空层。这一步一开始几个离子步在128步前没有收敛,然后逐渐收敛了。
接下来优化扩胞,PBE+DZVP-MOLOPT-SR-GTH,K点设为4,4,1。这一步还是花了很多时间,关键是SCF都要跑到128,虽然最后结果是收敛了,但是却花费了很多时间
最后是加入原子在表面进行吸附,K点设置为4,4,1。 但是这一步却不能收敛了。电子步只能到0.00几,最后离子步跑了80多步,还是不能收敛,所以我
我做了一下的改进
1.我更改NBROYDEN到16,以及修改ALPHA为0.1,跑了80多步还是没有观察到收敛的趋势。
2.我把优化的方法改为CG,也没有观察到收敛的趋势。
2.使用OT的算法,跑了40多步没有观察到收敛的趋势。
现在我不知道怎么优化,所以我把我的输入文件传上来,请各位老师帮我检查检查,看看有那些地方错了,该怎么调整。谢谢!
其中,序号为1的是代表原胞的优化。
序号为2的文件代表的是切平面加上真空层的优化。
序号为3的文件代表的是扩胞的优化。对于3扩胞后的结果,我只上传了最后的几个iterations,因为整个文件太大了。
序号为4的文件代表的是表面吸附分子的优化。
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