VASP计算INCAR中的哪些项整个体系要保持一致

卡开发发

dali 发表于 2023-8-30 16:53
感谢解答，有三个问题请教，
（1）晶胞参数优化ISIF=3要用1.5倍的ENCUT，后续的结构优化和性质计算用1倍 ...

1、上面其实已经说了很多了，只要不同体系测到足够高的精度，即便不同其实没有什么影响。只是习惯上为了一致，用一样的情况多一些。

2、3、上面两层楼的意思你再好好看看。我的建议是，若整个体系都要进行结构优化和频率计算，那么整个体系建议EDIFF从一开始都用EDIFF=1e-6甚至是1e-7，可以避免一些不必要的麻烦。这样做也不是必须的，因为在EDIFF也许足够高对力的影响可以忽略。不管同或不同，出发点总是为了算出来的能量可以比较尽量减少不同系统之间做差的误差，习惯上都用整个体系当中最大那个，即
（1）A系统测试450eV收敛，B系统550eV收敛，那么都按550，这样肯定没问题
（2）A的ENCUT推荐值是400eV，B的ENCUT推荐是500eV，整体按500eV
当然，我不能确定推荐值是否足够可靠以至于真的可以不进行测试，尤其是涉及到频率、应力等等涉及到能量导数的计算。另外，测试的目的其实就是为了保证在可控的误差范围内使用不那么高的参数，比方ENCUT推荐值是550eV，但有可能实际测试400eV就会收敛，那用400eV就能节约计算量。因为平面波方法通常不是线性标度，在有限的配置上，我们如果要保证合适的计算效率，那么这种策略应该被考虑。

zixuan

第一个问题，无论是不同ENCUT还是其他影响计算精度的参数变了，都没有办法做横向对比，一定要保持一致

第二个问题，有两个不太合理的地方，首先计算声子谱要进行高精度的受力收敛，我一般是EDIFFG=-1E-7，如果要达到这个力的收敛标准，那么你的电子自洽迭代最少要达到EDIFF=1E-10，不然没有办法把结构优化到稳定，频率计算就会出现虚频。 但是只要原子受力优化到高精度了，后续频率计算其实不需要自洽精度那么高，我实测过，结构优化EDIFF=1E-11，但是频率计算EDIFF=1E-6，也不会出现虚频

第三个问题，其实跟第二个一样，计算频率和声子谱，不一定要这么高的自洽精度，EDIFF=1E-6也可以，关键是你前期进行结构优化的时候离子步原子受力标准要尽可能的提高，提高到极限，最少优化到EDIFFG=-1E-6吧，我一般是-1E-7甚至是-1E-8

这是说计算频率是为了获得声子谱，以及通过虚频看材料稳定性的情况，但是如果计算频率只是为了做零点能矫正，完全没必要这么高精度，还是得根据你的研究目的和研究内容以及材料体系决定

dali

卡开发发 发表于 2023-8-30 17:11
1、上面其实已经说了很多了，只要不同体系测到足够高的精度，即便不同其实没有什么影响。只是习惯上为了 ...

非常感谢！！

dali

zixuan 发表于 2023-8-30 17:15
第一个问题，无论是不同ENCUT还是其他影响计算精度的参数变了，都没有办法做横向对比，一定要保持一致

...

谢谢解答！看来整个体系的优化和频率计算的EDIFF最好是1E-6及以下。请问目前做70个原子左右（4个左右过渡金属，剩余为非金属）的体系，频率计算的目的是为了获得吉布斯自由能，优化和频率都用EDIFF=1E-5精度还能被认可吗？谢谢！

zixuan

一般情况下自洽精度1E-5可以的

dingniu2

zixuan 发表于 2023-8-30 17:15
第一个问题，无论是不同ENCUT还是其他影响计算精度的参数变了，都没有办法做横向对比，一定要保持一致

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你好，请问，需要A和B两个计算任务的能量作差求吸附能或结合能时，或者是比较异构体能量高低时。这两个计算任务是不是要保证控制计算精度的参数相同？请问如下涉及精度的计算参数和不涉及精度的计算参数分类正确吗？谢谢！！！
（1）涉及精度的计算参数：ENCUT、ISMEAR、SIGMA 、EDIFF、EDIFFG、IVDW 、PREC。
（2）不涉及精度的计算参数：ISTART（0或1） 、ICHARG（0或2） 、ISPIN（1或2）、LWAVE 、LCHARG、KPAR、NCORE 、NELM、NELMIN、ALGO（Normal或Fast）、NSW 、IBRION（1或2或3） 、LORBIT（11或不设置）、POTIM。
比如A和B两个计算任务的能量作差求吸附能或结合能时，或者是比较异构体能量高低时。是不是要求（1）的参数值完全一致，而（2）的参数值只要最后收敛了，A和B两个计算任务都可以设置不同的值？