如何通过计算电子云密度来确定自由基产生在哪个N上？

珊珊来迟

一个反应物分子中含有两个N原子，它与过氧自由基ROO•反应，实验测得的图谱可以看出生成物中含有一个N自由基，我如何通过计算电子云密度来确定这个自由基产生在哪个N上？我搞不明白是需要算反应物的电子云密度，还是算产物的？希望有经验的前辈多多指教~

sobereva

你先算算两个位点发生反应时自由能垒和自由能变，确定哪个位置容易发生反应。之后对产物可以算自旋密度或者自旋布居，考察单电子出现的位置。
如果不去算自由能垒和自由能变，而只靠反应物本身来预测的话，对反应物结构算算福井函数来预测。

珊珊来迟

sobereva 发表于 2016-9-27 22:35
你先算算两个位点发生反应时自由能垒和自由能变，确定哪个位置容易发生反应。之后对产物可以算自旋密度或者 ...

那老师我应该算哪个产物的自旋密度？是把可能的两种N自由基的结构都算一下么？如果都算出来的话，怎么根据结果确定单电子出现的位置？

liyuanhe211

珊珊来迟 发表于 2016-9-28 20:40
那老师我应该算哪个产物的自旋密度？是把可能的两种N自由基的结构都算一下么？如果都算出来的话，怎么根 ...

是何种图谱能知道有一个N自由基却不能指认？

用电子云密度分析有机反应、啥哪儿“电子云密度高”哪儿反应是搞有机的人意淫出来的。

如果只是个简单的hydrogen abstraction，没有共轭体系相连，愿意把活化能算准的话动力学条件下谁低谁是preferred产物，产物哪儿缺个H当然哪儿就是自由基，有共轭体系就算一下这货的自旋密度或自旋布居。

“确定单电子的位置”表明对量子毫无概念。

另外如果你只是没做够表征（或者表征其实够了只是人不会解），实验都拿到了还非要用计算定哪个是产物，发文章估计会有人argue的。