vasp中表面态密度dos计算后如何处理表面电子态，进而分析带隙？

Rean · 发表于 Post on 2023-12-21 01:23:59

本帖最后由 Rean 于 2023-12-21 01:25 编辑

大家好，本人近来需要用vasp计算γ-CuI的体相结构和表面结构的态密度和带隙，使用的是PBE0杂化泛函。
文献中，使用PBE0计算γ-CuI体相的带隙和实验值均在~3.2eV。本人计算所得dos结果与之类似。
然而，计算γ-CuI(100)面态密度时，其Fermi能级附近存在明显的电子态，个人猜测其来源于表面电子态。
想请教大家，在计算表面slab结构态密度时，
（1）如何分析表面电子态？
（2）Fermi能级附近有表面电子态干扰的话，如何排除其干扰，进而得到带隙的大小？

上侧图为我计算的γ-CuI(100)面态密度，不能直接得到带隙
下侧图为我计算的γ-CuI体相态密度，明显存在带隙

123wo · 发表于 Post on 2023-12-21 10:07:27

有没有可能，表面本身就不是半导体呢，变成导体了

Rean · 发表于 Post on 2023-12-21 13:36:37

123wo 发表于 2023-12-21 10:07
有没有可能，表面本身就不是半导体呢，变成导体了

是由这个可能，我欠考虑了，感谢

123wo · 发表于 Post on 2023-12-21 16:09:46

要是费米能级处没太有能态的话，那估计它的催化效果也不太好

123wo · 发表于 Post on 2023-12-21 16:10:45

123wo 发表于 2023-12-21 16:09
要是费米能级处没太有能态的话，那估计它的催化效果也不太好

准确的说，应该说是费米能级附近更好，可能费米能级上没有态，但是附近有也行

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[VASP] vasp中表面态密度dos计算后如何处理表面电子态，进而分析带隙？